محاسبه ی توان سرعت دیواره ی حوزه ی مغناطیسی در تراوش انفجاری با مدل رشد پل زنی ناگهانی

یکی از مفاهیم نانو مقیاس، حرکت دیواره حوزه مغناطیسی می باشد و در حوزه های مختلفی از جمله ذخیره اطلاعات در حافظه ها از آن استفاده می شود. حوزه های مغناطیسی در اثر عوامل خارجی از جمله جریان یا میدان های مغناطیسی خارجی شروع به حرکت می کنند و در شروع حرکت، سرعت حرکت دیواره حوزه مغناطیسی به صورت توانی با عوامل خارجی رفتار می کند که آن را توان جهش نیز می نامند. در این مقاله سعی شده است با استفاده از تئوری تراوش انفجاری و مدل جدید پل زنی ناگهانی، حرکت دیواره ی مغناطیسی شبیه سازی شود و با استفاده از روش مونت کارلو توان سرعت در هنگام تراوش یعنی نقطه بحرانی به دست آید. مقادیر این توان با توجه به آزمایشات تجربی و نیز شبیه سازی های مختلف اعداد مختلفی گزارش شده است که در این مدل مقدار 2.2 به دست آمده است.