Electrical μ-Lens Synthesis Using Dual-Junction Single-Photon Avalanche Diode

This work presents a dual-junction, single-photon avalanche diode (SPAD) with electrical μ-lens designed and simulated in 90 nm standard complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. The evaluated structure can collect the photons impinging beneath the pixel guard ring, as well as the pixel active area. The fill factor of the SPAD increases from 12.5% to 42% in comparison with similar works on the same technology, according to new charge collections. Although the designed SPAD suffers from high dark count rate (DCR of 300kHz at 0.17V excess bias at room temperature) due to high amount of tunneling which was predicted in previous similar works, it still can be used in different applications such as random number generators and charged particle positioning pixels.​

Article Type:
Research/Original Article
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering, Volume:15 Issue:4, 2019
502 - 508
روش‌های دسترسی به متن این مطلب
اشتراک شخصی
در سایت عضو شوید و هزینه اشتراک یک‌ساله سایت به مبلغ 300,000ريال را پرداخت کنید. همزمان با برقراری دوره اشتراک بسته دانلود 100 مطلب نیز برای شما فعال خواهد شد!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی همه کاربران به متن مطالب خریداری نمایند!