Modelling of High Quantum Efficiency Avalanche Photodiode
Author(s):
Message:
Abstract:

A model of a low noise high quantum efficiency n+np Germanium Photodiode utilizing ion implantation technique and subsequent drive-in diffusion in the n layer is presented. Numerical analysis is used to study the influence of junction depth and bulk concentration on the electric field profile and quantum efficiency. The performance of the device is theoretically treated especially at the wave-length region 1.55μm where the Silica optical fiber has minimum attenuation loss. It has been found that at this wave-length and for the optimum device design the quantum efficiency approaches about 90%.

Article Type:
Research/Original Article
Language:
English
Published:
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering, Volume:15 Issue:4, 2019
Pages:
509 - 515
magiran.com/p2051780  
روش‌های دسترسی به متن این مطلب
اشتراک شخصی
در سایت عضو شوید و هزینه اشتراک یک‌ساله سایت به مبلغ 300,000ريال را پرداخت کنید. همزمان با برقراری دوره اشتراک بسته دانلود 100 مطلب نیز برای شما فعال خواهد شد!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی همه کاربران به متن مطالب خریداری نمایند!