پیش یابی و بررسی خواص الکتریکی و نوری نانو ساختار شبه گرافن ژرمانیم دی سولفید (2GeS) به روش نظریه ی تابعی چگالی

در این مقاله با استفاده از روش نظریه ی تابعی چگالی و بسته نرم افزار (کد) محاسباتی وین2کی، نانو ساختار دو بعدی جدید ژرمانیم دی سولفید (GeS2</sub>)  پیش یابی شده است. با محاسبه ی انرژی همدوسی و پاشندگی فونونی با استفاده از نرم افزار کوانتوم اسپرسو، پایداری ترمودینامیکی و دینامیکی نانوساختار 2</sub>GeS تایید شد. نتیجه های روش شبیه سازی نشان داد که تک لایه ی ژرمانیم دی سولفید یک نیم رسانا با گاف انرژی غیر مستقیم حدود 0.9 eV است که با اعمال کشش و کرنش دو بعدی، قابل تنظیم است. محاسبه های نوری نشان داد که تک لایه ی پیشنهادی در ناحیه ی دیدگانی در برابر تابش فرودی، جذب و بازتاب کمی دارد در صورتی که ماده ی پیش گفته ی (GeS2</sub>)  در ناحیه ی فرا بنفش ، نه تنها جاذب خوبی است بلکه بازتابش نسبتا بالایی نیز دارد. نتیجه های این پژوهش نشان داد که نانو ساختار ژرمانیم دی سولفید می تواند در ساخت ابزارهای نوری و به طور خاص در ساخت حفاظ نور فرابنفش مورد استفاده قرار گیرد.