وابستگی دمایی مشخصه های الکتریکی دیود سد شاتکی Al/p-Si

اتصالات فلز - نیمرسانای شاتکی بعنوان بخش پیچیده قطعات نیمرسانا و صنعت الکترونیک مورد توجه بوده اند. در این مقاله دیودهای شاتکی Al/p-Si به روش لایه نشانی تبخیر حرارتی بر بستر سیلیکان نوع پذیرنده ساخته و بر اساس نظریه گسیل گرما یونی مشخصه یابی شدند. پارامترهای فاکتور ایده آل، ارتفاع سد شاتکی و جریان اشباع معکوس، با انداز ه گیری منحنی جریان- ولتاژ (I-V) دیودهای بازپخت شده در محدوده دمایی °C 100-350 بدست آمدند. تاثیر بازپخت بر پارامترهای دیود سد شاتکی بررسی و مشخص شد که دمای بهینه بازپخت °C 250 می باشد. سپس مشخصه جریان- ولتاژ دیودهای ساخته شده در گستره دمایی 300-15 کلوین اندازه گیری و فاکتور ایده آل، ارتفاع سد شاتکی و جریان اشباع معکوس تعیین گردید. مشخص شد با کاهش دمای دیود، ارتفاع سد شاتکی و جریان اشباع معکوس کاهش، اما فاکتور ایده آل افزایش می یابد. در خاتمه ارتفاع سد شاتکی و ثابت ریچاردسون دیود مذکور با در نظر گرفتن توزیع گاوسی ارتفاع سد محاسبه شدند. مقدار بزرگ و غیر منتظره فاکتور ایده آل را می توان با پراکندگی حامل ها از اتمهای Al نفوذ یافته به نیمرسانا در نزدیکی میانگاه Al/Si توجیه کرد.