طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز باند باریک با توان مصرفی پایین در فناوری 180 نانومترCMOS
در این مقاله، طراحی تقویت کننده کم نویز (LNA) با القاگر در سورس در فرکانس 2.4GHz ارائه شده است. فناوری استفاده شده در طراحی این مقاله TSMC 0.18um CMOS است. ساختار کسکود باعث کاهش توان مصرفی در مدار می شود[1]؛ از طرفی مزیت استفاده از ساختار کسکود، افزایش امپدانس خروجی در مدار است که این افزایش امپدانس، افزایش بهره مدار را به دنبال دارد. مدار ارائه شده یک تقویت کننده کم نویز کسکود شده با القاگر در سورس به همراه یک شبکه ی تطبیق امپدانس افزوده شده در ورودی و خروجی است؛ که باعث شده تا عدد نویز و توان مصرفی به ترتیب برابر با 1.6dB و 2.1mW به دست آیند. افزودن شبکه تطبیق منجر به یک درجه آزادی بیشتر برای بهبود عدد نویز و توان مصرفی در مدار و از طرفی کاهش مساحت داخلی تراشه شده است. در المان های دیگری که به مدار اضافه شده است علاوه بر اینکه ملاحظات کاهش توان و عدد نویز در نظر گرفته شده است؛ باعث شده بهره مدار و ضریب انعکاس در ورودی در فرکانس موردنظر به ترتیب برابر با 20dB و -12dB به دست آیند.
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.