BIMS : ساختار توکار میانی حافظه برای بهبود حافظه های تغییر فاز چندسطحی

پیام:
چکیده:

در این مقاله، روشی به نام ساختار توکار میانی حافظه (BIMS) را معرفی خواهیم کرد که باعث کاهش انرژی مصرفی و زمان دسترسی حافظه‌های اصلی ساخته‌شده با فناوری حافظه‌های تغییر فاز (PCM) خواهد شد. این روش از قابلیت افزاره‌های PCM که قادر هستند هم به‌صورت سلول تک‌سطحی (SLC) و هم چندسطحی (MLC) مورد استفاده قرار بگیرند، استفاده می‌کند. در این روش، داده‌ها به‌صورت پیش‌فرض در سلول‌هایی با قابلیت ذخیره‌سازی بیشتر از یک بیت ذخیره می‌شوند. اما مکانیزم داخلی این روش، سلول‌های صفحات فیزیکی بلا استفاده را به سلول‌های تک‌سطحی تبدیل می‌کند. با استفاده از این صفحات، لایه‌ای بین حافظه‌ی نهان پردازنده و صفحات اصلی به‌وجود می‌آورد که می‌تواند دستورات خواندن و نوشتن در حافظه را در مدت زمان کمتر و با انرژی کمتر پاسخ دهد. این لایه میانی، بسیاری از دسترسی‌ها به صفحات با افزاره‌های MLC را با جذب آن‌ها از بین می‌برد.

نوع مقاله:
مقاله پژوهشی/اصیل
زبان:
فارسی
صفحات:
1405 -1414
لینک کوتاه:
magiran.com/p2071747 
روش‌های دسترسی به متن این مطلب
اشتراک شخصی
در سایت عضو شوید و هزینه اشتراک یک‌ساله سایت به مبلغ 300,000ريال را پرداخت کنید. همزمان با برقراری دوره اشتراک بسته دانلود 100 مطلب نیز برای شما فعال خواهد شد!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی همه کاربران به متن مطالب خریداری نمایند!