تاثیر بستر ویسکوالاستیک هیتنی و ویسکوزیته سیال بر رفتار دینامیکی میکرولوله حامل سیال تحت فلاتر و تشدید پارامتریک مغناطیسی

در این پژوهش ارتعاشات غیرخطی جانبی میکرولوله حاوی سیال تحت شرایط تشدید پارامتریک مغناطیسی محوری مورد مطالعه قرار می گیرد. برای این منظور، معادلات غیرخطی حاکم بر حرکات جانبی میکرولوله تیر مانند با استفاده از تئوری تغییر شکل های برشی مرتبه اول ردی با احتساب اثر ویسکوزیته و شتاب جانب مرکز سیال استخراج می شود. در این مدل جملات غیرخطی بستر هیتنی و جملات غیرخطی هندسی تئوری ون- کارمن تحت تحریکات مغناطیسی در حضور جریان سیال ورای ناپایداری فلاتر لحاظ می شود. در ادامه اثرات پارامترهای بستر روی مشخصات فلاتر خطی میکرو لوله های مغناطیس شونده حاوی سیال مورد مطالعه قرار می گیرد. سپس رفتار سیستم غیرخطی در سرعت های جریان بالاتر از سرعت بحرانی متناظر با کوپلینگ دو مود اول و دوم ارتعاشی با استفاده از روش مقیاس های چندگانه مورد مطالعه قرار می گیرد. منحنی های پاسخ غیرخطی در سرعت های بالاتر از سرعت بحرانی به دست آمده و اثرات تغییر پارامترهای مختلف سیستم اعم از سرعت جریان، دامنه و فرکانس میدان مغناطیسی، ثابت های سختی بستر هیتنی، ویسکوزیته و نسبت ابعاد روی رفتار غیرخطی سیستم بررسی می گردد. برخی از نتایج نشان دهنده آن است که افزایش مقادیر پارامتر سختی برشی بستر هیتنی اثر ناپایدار ساز دارد به طوری که با افزایش آن، ناپایداری فلاتر در فرکانس های پایین تر اتفاق می افتد.