High-Speed Penternary Inverter Gate Using GNRFET
This paper introduces a new design of penternary inverter gate based on graphene nanoribbon field effect transistor (GNRFET). The penternary logic is one of Multiple-valued logic (MVL) circuits which are the best substitute for binary logic because of its low power-delay product (PDP) resulting from reduced complexity of interconnects and chip area. GNRFET is preferred over Si-MOSFET for circuit design due to its fantastic thermal, mechanical and electrical properties. For this circuit design, the voltage divisions obtained with resistors. All the circuits are simulated and compared by HSPICE, 15nm GNR Technology with the supply voltage of 0.8V. Simulation results demonstrate that the PDP is about 1e-18. Therefore, MVL design based on GNRFET leads to minimum PDP than other devices such as CNTFET. Furthermore, the transient wave is absolutely accurate. The variation of the figure of merits (FOM) such as power consumption, propagation delay, and PDP is investigated as a function of a number of the ribbon in GNRFET structure.
Article Type:
Research/Original Article
Journal of Advances in Computer Research, Volume:10 Issue: 2, 2019
53 - 59
برخی از خدمات از جمله دانلود متن مقالات تنها به مشترکان مگیران ارایه می‌گردد. شما می‌توانید به یکی از روش‌های زیر مشترک شوید:
اشتراک شخصی
در سایت عضو شوید و هزینه اشتراک یک‌ساله سایت به مبلغ 300,000ريال را پرداخت کنید. همزمان با برقراری دوره اشتراک بسته دانلود 100 مطلب نیز برای شما فعال خواهد شد!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی همه کاربران به متن مطالب خریداری نمایند!
  • دسترسی به متن مقالات این پایگاه در قالب ارایه خدمات کتابخانه دیجیتال و با دریافت حق عضویت صورت می‌گیرد و مگیران بهایی برای هر مقاله تعیین نکرده و وجهی بابت آن دریافت نمی‌کند.
  • حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران می‌شود.
  • پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانه‌های چاپی و دیجیتال را به کاربر نمی‌دهد.