تاثیر میدان مغناطیسی و اسموپرایمینگ بر جوانه زنی و رویش بذر بنه

تحقیق حاضر با هدف بهبود شاخص های جوانه زنی و عملکرد اولیه بذر بنه با بررسی تاثیر احتمالی میدان مغناطیسی و همچنین تیمارهای بهبود دهنده اسموپرایمینگ به صورت همزمان انجام شده است. 10 سطح تیمار مغناطیسی شامل 10، 20 و 30 میلی تسلا به مدت 5، 15، 25 دقیقه و تیمار شاهد (بدون قرار گرفتن در معرض میدان مغناطیسی) در سه تکرار انجام و بهترین سطح مغناطیس انتخاب شد. نتایج نشان داد که قرار دادن بذر در معرض میدان موجب افزایش طول ساقه چه، ریشه چه و طول کل گیاهچه، وزن تر و خشک ساقه چه، ریشه چه و سرعت جوانه زنی نسبت به تیمار شاهد می شود ولی بر درصد جوانه زنی و یکنواختی بذرها تاثیر معنی داری ندارد. بذرهای قرارگرفته در معرض میدان مغناطیسی با تیمار انتخابی برتر (10 میلی تسلا به مدت 15 دقیقه) با محلول های نیترات پتاسیم، هیومیک اسید و سالیسیلیک اسید در سطوح 10، 25 و 40 میلی مولار و تیمار شاهد (بهترین سطح میدان مغناطیسی) در سه تکرار پیش تیمار شدند. بهترین نتایج از هیومیک اسید (25 میلی مولار) به دست آمد. با توجه به هزینه پایین خرید و یا ساخت دستگاه مغناطیس کننده و آثار مثبت آن پیشنهاد می شود تا به منظور بالا بردن کیفیت نهال های تولیدی بنه از این تیمار (10 میلی تسلا به مدت 15 دقیقه) به صورت مشترک با هیومیک اسید (25 میلی مولار) استفاده شود.