تاثیر pH بر گاف نواری لایه های نازک سلنید سرب و بررسی فعالیت فوتوکاتالیستی

ساده لایه نشانی حمام شیمیایی (CBD) شد که از لحاظ تجاری پیش ماده های ارزان و در دسترسی دارد. در روش لایه نشانی حمام بخار شیمیایی، عوامل ساخت نقش قابل ملاحظه ای را ایفا کرده و خصلت محصول نهایی را تعیین می کنند. در این پژوهش، تاثیر دوعامل مهم، pH عامل کمپلکس ساز و زمان لایه نشانی بر کیفیت پیکربندی و ساختار و گاف نواری اپتیکی لایه نازک سلنید سرب مورد بررسی قرار گرفته شد. این عوامل ساخت طوری تنظیم شده اند تا لایه نازک نیمه رسانای سلنید سرب گاف نواری تقریبی eV 4/1 داشته باشد و بدین ترتیب مناسب استفاده در سلول خورشیدی نقطه کوانتومی باشد. لایه های مذکور توسط پراش پرتو (XRD) X برای تعیین ساختار و بلورینگی، میکرسکوپ الکترونی روبشی (SEM) به منظور ریخت شناسی و توزیع اندازه ذرات و اسپکتروسکوپی مریی-فرابنفش برای تعیین میزان جذب و گاف انرژی نواری نوری (UV-Vis) مشخصه یابی شدند. تغییر در pH عامل کمپلکس ساز، گاف انرژی نواری را از 56/3 تا 4/1 الکترون ولت تغییر داد. رفتار فوتوکاتالیستی لایه نازک سلنید سرب به منظور از بین بردن آلودگی Congo Red تحت نور مریی مورد آزمایش قرار گرفته شد و فعالیت این فوتوکاتالیست در اکسید کردن آلودگی مناسب ارزیابی شد.