سوئیچ شتاب قابل تنظیم با استفاده از دو نوع تحریک بر اساس تکنولوژی ممز

در این مقاله طراحی و شبیه سازی ساختار جدیدی از سوییچ میکرو ماشینی عمل کننده با شتاب، با قابلیت تنظیم برای شتاب موردنظر ارایه شده است. با استفاده از سوییچ پیشنهادی امکان سنجش شتابدر محدوده بین میلی جی (g) الی نود جی میسر گردیده است. جهت تنظیم شتاب موردنظر در بازه ذکر شده از دو تحریک الکترواستاتیک شانه ای و پیزوالکتریک استفاده شده است. از تحریک الکترواستاتیک شانه ای، به علت رنج خطی بالای آن و تحریک پیزوالکتریک به علت دقت بالای تنظیم سوییچ در شتاب های خیلی کم و عدم وجود پدیده پایین کش (pull in) بهره برده شده است. در ساختار پیشنهادی جهت جلوگیری از پدیده پایین کش از متوقف کننده در تحریک الکترواستاتیک استفاده شده است. در بخش تحریک پیزوالکتریک معادلات حاکم بر جابجایی ناشی از تحریک پیزوالکتریک استخراج شده است. بر اساس طراحی انجام گرفته رزولوشن ساختار حدود 15/0 جی است. ولتاژ آستانه پایین کش برای تحریک الکترواستاتیک شانه ای 50 ولت و حداکثر ولتاژ تنظیم تحریک پیزوالکتریک 85 ولت است. ساختار پیشنهادی بر اساس محاسبات انجام گرفته در نرم افزار اینتلیسویت (intellisuite) شبیه سازی شده و نمودارهای حاصل از شبیه سازی جهت صحت سنجی با نمودارهای حاصل از متلب مقایسه شده است.