فاز هندسی یک اتم دو ترازی در مجاورت یک تیغه ی دی الکتریک جاذب و پاشنده

در این مقاله به مطالعه ی فاز هندسی یک اتم دو ترازی در مجاورت یک تیغه ی دی الکتریک می پردازیم. بدین منظور، با به کاربردن معادله ی تحول زمانی فون-نویمن، ویژه مقادیر و ویژه بردارهای عملگر چگالی کاهش یافته ی سامانه اتمی را بدست می آوریم. سپس جابجایی لمب و آهنگ های گذار سامانه اتمی را برحسب تانسور گرین الکترومغناطیسی بدست می آوریم. در نهایت با محاسبه ی تانسور گرین الکترومغناطیسی سامانه و استفاده از رهیافت سینماتیک، فاز هندسی سامانه ی اتمی در مجاورت تیغه ی دی الکتریک را بررسی خواهیم کرد. نشان خواهیم داد که می توان از فاز هندسی به عنوان یک کاوه ی حساس به امواج پلاریتون-فونون های سطحی استفاده نمود.