سلول حافظه 12 ترانزیستوری SRAM جدید با سرعت بالا و توان مصرفی کم

چکیده - قدرت و سرعت دو پارامتر مهمی هستند که نظر طراح را در روند طراحی مدارهای یکپارچه جلب می کنند. بلوک های حافظه و به ویژه سلول های SRAM سطح تراشه های بالایی را مصرف می کنند و در نتیجه بهینه سازی این سلول ها می تواند عملکرد کل سیستم را افزایش دهد. در این مقاله، سلول حافظه استاتیکی دوازده ترانزیستوری ارایه شده است که سرعت و ثبات خواندن و نوشتن را بهبود می بخشد و در کنار افزایش سرعت توان مصرفی پایینتری دارد به نحوی که در مجموع حاشیه نویز استاتیکی خواندن تا 19 درصد بهبود نسبت به سلول حافظه 12 ترانزیستوری و 43 درصد بهبود نسبت به سلول شش ترانزیستوری معمولی دارد، همچنین معدل سرعت خواندن و نوشتن مدار حدود 30 درصد نسبت به سلول 12 ترانزیستوری افزایش پیدا کرده است و با توجه به اینکه تعداد ترانزیستورها نسبت به سلول شش ترانزیستوری افزایش داشته است توان مصرفی حدود 40 درصد کاهش داشته و نسبت به سلول 12 ترانزیستوری مشابه توان مصرفی کاهش چشمگیر 80 درصدی را برای بهترین بازده دارد. نتایج شبیه سازی نشان دهنده پیشرفت در بهبود اتلاف انرژی و کاهش حاشیه نویز خواندن و نوشتن در مقایسه با طرح قبلی است.