بررسی ریزساختار و حوزه های فروالکتریک لایه نازک هم محور تیتانات سرب رشدیافته با روش رسوب گذاری از فاز مایع
در این تحقیق، لایه نازک تیتانات سرب (PTO)، با ضخامت nm 150، با استفاده از روش رسوب گذاری از فاز مایع، روی زیر لایه تک بلور تیتانات استرانسیم آلاییده شده با Nb با جهت بلوری [001]، رشد داده شده است. نتایج پراش پرتو ایکس با قدرت تفکیک بالا (HR-XRD)، نشان داد که لایه PTO، در جهت [001]، رشد یافته است. لایه نازک، زیر لایه، تقارن درجه چهار لایه نازک و زیر لایه، به وسیله روبش زاویه ф، به اندازه 360 درجه، حول صفحات {102}، تایید شد؛ بنابراین، لایه، به طور کامل، در جهت بلوری c، رشد یافته است. نقشه فضایی وارون حول صفحه (103) لایه و زیرلایه، نشان داد که لایه نازک، تحت کرنش فشاری صفحه ای است. ثوابت شبکه ای محاسبه شده لایه PTO از موقعیت قله ها در محورهای عمودی و افقی، به میزان nm 403/0a= و nm 407/0c= است. این تنش فشاری، به دلیل تشکیل فصل مشترک همدوس در فصل مشترک لایه و زیر لایه و عدم انطباق ثوابت شبکه لایه و زیر لایه، ایجاد شده است. مطالعات توپوگرافی AFM، نشان داد که لایه نازک، از دانه های کشیده ای تشکیل شده است که در جهت های [001] و [010]، رشد کرده اند. پیکربندی حوزه های فروالکتریک با میکروسکوپ نیروی پیزوالکتریکی (PFM)، مطالعه شد. نتایج، نشان داد که لایه، از حوزه های فروالکتریک، با مرز زاویه 180 و 90 درجه، تشکیل شده است. تشکیل حوزه های فروالکتریک با مرز زاویه 90 درجه، در اثر کرنش فشاری ایجاد شده در لایه، به دلیل عدم انطباق ثوابت شبکه لایه و زیر لایه است. در واقع، حوزه های فروالکتریکی با مرز 90 درجه، جهت کاهش انرژی الاستیک لایه، تشکیل شده است.
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.