محاسبه تغییرات میکروسختی در تابش پروتون MeV 5/2 بر ساختار گرافیت درجه TSX

تغییر در موقعیت اتم ها در شبکه بلوری ماده در اثر تابش ایجاد می شود. تغییر ساختار سبب تغییر در مشخصات ماکروسکوپی ماده خواهد شد.دانستن مقدار تغییرات انواع خصوصیات ماده در محیط های با تابش بالا ضروری است. در این مقاله به مطالعه تاثیر تابش پروتون با انرژی MeV 5/2 بر ساختار گرافیت با درجه TSX پرداخته شده است. این نوع گرافیت در راکتور تحقیقاتی تهران به عنوان بازتابنده استفاده می شود. تابش دهی برای مدت زمان 276 دقیقه با پروتون انجام شده است. در بررسی انجام گرفته از تست میکرو سختی، تست رامان و تصاویر SEM استفاده شده است. نتایج، افزایش میکروسختی ماده در اثر تابش را نشان می دهد. همچنین افزایش حلقه های تهی جا و بین نشین ها در بررسی طیف رامان بدست آمده است. ایجاد حفره های در سطح گرافیت تابش دیده، در تصاویر SEM مشاهده شده است. نتایج بدست آمده با استفاده از مدل عیوب نقطه ای قابل بررسی می باشد.