محاسبه ساختار الکترونی و نوارهای انرژیInP در حالت نانو سیم وانبوهه به روش شبه پتانسیل

در این مقاله ویژگی های الکترونی و ساختاری از جمله ثابت های شبکه، ساختار نوارهای انرژی و چگالی حالت های  در حالت انبوهه و نانوسیم محاسبه و مورد بررسی قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبه پتانسیل در چارچوب نظریه تابعی چگالی (DFT) و با استفاده از نرم افزار کوانتوم اسپرسو با تقریب های چگالی موضعی (LDA) و تقریب گرادیان تعمیم یافته (GGA) صورت گرفته است. نتایج به دست آمده نشان می دهد که نوارهای انرژی سطح فرمی را قطع نکرده و دارای یک شکاف انرژی به اندازه 4/1 الکترون ولت در نقطه Γ در منطقه بریلوین می باشد که سازگاری خوبی با نتایج تجربی دارد. همچنین شکاف نواری در حالت نانوسیم ها حدود 49/1 الکترون ولت به دست آمد که نسبت به شکاف نواری در حالت انبوهه افزایش یافته است. در نهایت، پارامترهای محاسبه شده سازگاری خوبی با دیگر نتایج دارد.