شبیه سازی عددی انتقال گرمای همرفتی اجباری نانو سیال در داخل میکرو کانال موج دار تحت میدان مغناطیسی

در این مطالعه انتقال گرمای همرفتی اجباری جریان لایه ای نانو سیال آب و اکسید مس در میکرو کانال موج دار  در حضور میدان مغناطیسی با استفاده از روش عددی مورد بررسی قرارگرفته است . معادلات تابع جریان، انتقال گردابه و انرژی به روش تفاضل محدود گسسته سازی شده و با  قراردادن شرایط مرزی توجه به شرایط مرزی موردنظر در محیط نرم افزار فرترن حل می گردند. تاثیر پارامترهای مختلفی ازجمله عدد رینولدز در محدوده 500-50 ، کسر حجمی 0-10% ، عدد هارتمن 20-0 و دامنه موج های 3/0-0 بر عملکرد یک میکرو کانال موج دار  موردبررسی قرار می گیرد.  با توجه به نتایج به دست آمده، شکل سینوسی میکرو کانال به طور مستقیم بر انتقال گرما تاثیر گذاشته و با افزایش دامنه موج میکرو کانال عدد ناسلت افزایش می یابد. از طرفی گردابه های ایجادشده در رینولدزهای بالا نیز سبب بهبود کارایی میکرو کانال و افزایش انتقال گرما می گردد. همچنین نتایج نشان می دهد که با افزایش عدد هارتمن، خط جریان در نزدیکی دیواره منظم تر شده و با توجه به گرادیان دمایی ایجادشده، عدد ناسلت افزایش می یابد.