On topological indices of double and strong double graph of silicon carbide Si2C3-I[p,q]

Article Type:
Research/Original Article (دارای رتبه معتبر)
Silicon is a semiconductor material with several advantages over the other similar materials, such as its low cost, nontoxicity, and almost limitless availability, as well as many years of expertise in its purification, manufacture, and device development. It is used in practical for all of the most recent electrical products. Graph theory can be used to depict a chemical structure, with vertices representing atoms and edges representing chemical bonds. Molecular descriptors are important in mathematical chemistry, particularly in QSPR/QSAR research. In this research, by using two graph operations, namely; double and strong double graph, we computed the closed formulas for some degree-based topological indices of silicon carbide. Furthermore, we also compare topological indices numerically and graphically.
Eurasian Chemical Communications, Volume:5 Issue: 1, Jan 2023
37 to 49
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یک‌ساله به مبلغ 1,390,000ريال می‌توانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
  • حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران می‌شود.
  • پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانه‌های چاپی و دیجیتال را به کاربر نمی‌دهد.
In order to view content subscription is required

Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!