مطالعه اصول اولیه ویژگیهای ساختاری، الکترونی و مغناطیسی نانولوله های آلاییده شده ایندیوم فسفید با جایگزینی یونهای V، Mn و Ni بجای یون فسفید

پایداری ساختاری، خواص الکترونیکی و مغناطیسی نانولوله آرمچر(5، 5) InP آلاییده شده با اتمهای وانادیم، منگنز و نیکل با استفاده از محاسبات اصول اول بررسی شده است. محاسبات توسط کد PWscf انجام شد. اتمهای وانادیم، منگنز و نیکل بجای اتمهای P در نانولوله InP جایگزین شدند. زوایای بهینه بین آنها و طول پیوند محاسبه شد. نتایج نشان می دهد که تغییرات ممان مغناطیسی با مقدار پیش بینی شده قانون هوند مطابقت دارد. نتایج نشان می دهد که نانولوله های InP آلاییده شده با منگنز، فلز فرومغناطیسی است، در حالی که نانولوله های InP آلاییه شده با نیکل، یک فلز غیر مغناطیسی است. بعلاوه، مهمتر از همه دوپینگ V در نانولوله های InP منجر به فرومغناطیس نیمه فلزی می شود. بنابراین نتایج حاضر پیش بینی می کنند که نانولوله InP آلاییده شده با V برای کاربردهای صنعتی، به ویژه در دستگاه های اسپینترونیک و نانومغناطیس ها مفید است. برای شناسایی پایدارترین پیکربندی، انرژی تشکیل بستگی و انرژی همبستگی برای همه ترکیبات محاسبه شد. در نهایت، نانولوله InP آلاییده شده با نیکل پایدارتر از سایرین بود.