ارزیابی رفتار اکسایش پیوسته پوشش پاشش پلاسمایی SiC/Mo-Si-B روی گرافیت

این مطالعه به منظور ارزیابی استحکام چسبندگی و رفتار اکسایش پیوسته پوشش SiC/Mo-Si-B روی زیرلایه های گرافیتی انجام شد. برای این منظور، پوشش SiC با استفاده از روش سمانتاسیون همراه با فعال کننده NH4Cl روی گرافیت ایجاد شد. لایه ثانویه Mo-Si-B با استفاده از پاشش پلاسمای اتمسفری (APS) به کمک محافظت کننده آرگنی روی نمونه ها حاصل شد. مورفولوژی سطح و ترکیب شیمیایی پوشش های SiC و Mo-Si-B با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مجهز به سیستم طیف سنجی پراکندگی انرژی (EDS) بررسی و ارزیابی شدند. تجزیه و تحلیل سطح با پراش پرتو ایکس (XRD) نشان داد که پوشش کاربیدسیلیسیم نسبتا خالصی تشکیل شده است. در مورد Mo-Si-B، فازهای مختلف بین Mo و Si، Mo و B و Mo خالص تشخیص داده شد. چسبندگی پوشش چند لایه با آزمون کشش مورد بررسی قرار گرفت و نشان دهنده چسبندگی و پیوستگی کافی از پوشش بود. آزمون اکسایش در هوا تا دمای K 1273 انجام شد و زمان و تغییر وزن به طور همزمان ثبت شد. نتایج نشان داد که پوشش به کار رفته، به طور قابل توجهی مقاومت اکسایش گرافیت را با لایه های شیشه ای SiO2 و B2O3 بهبود می بخشد.