حل عددی معادله ی ترابرد الکترون در نانوترانزیستورها در رژیم بالیستیک برای حالت یک بعدی و دو بعدی

برای دست یابی به سرعت کار بالاتر و چگالی های بیش تر در بسته بندی، ساختارهای ابزار FETبه طور روزافزون کوچک شده اند. قطعاتی به کوچکی 18 نیز می توانند مشخصه های ترانزیستور قابل قبول را نمایش دهند، اما در چنین ابعادی طبیعت انتقال حامل در قطعه تغییر می کند. در چنین ماسفت هایی که اندازه قطعه از طول پراکندگی حامل کوچک تر است احتمال اینکه حامل ها کانال را از الکترود های سورس به درین بدون مواجهه با رخداد پراکندگی طی کنند بسیار زیاد است. به چنین انتقالی به اصطلاح انتقال بالیستیک گویند. در این مقاله به بررسی ترابرد الکترون در نانوترانزیستورها پرداخته و با استفاده از رهیافت نیمه کلاسیک مبتنی بر معادلات بولتزمن برای رژیم بالیستیک جریان الکتریکی برای یک ساختار دو بعدی و همچنین برای یک سیم کوانتومی محاسبه می گردد که این محاسبات مبتنی بر مدل ارائه شده توسط ا- رحمان، جی- گئو و س- داتا می باشد.