ارزیابی ضریب شکست نور در لایه های نازک سیلیکا

ضریب شکست نور یکی از ثوابت مهم در طراحی لایه های نازک اپتیکی است و بسته به ضخامت، دانسیته لایه، شبکه کریستالی و عیوب داخلی تغییر می کند. امواج الکترومغناطیسی تابشی بر روی سطح لایه به تناسب ضریب شکست در مقادیر مختلف، جذب، منعکس و یا عبور می کند و مقداری از آن نیز بدلیل معایب سطحی و داخلی لایه پراکنده می شود. لایه های نازک سیلیکا بصورت منفرد و یا در ترکیب با سایر اکسیدها در تولید خواص اپتیکی کاربردهای فراوانی دارد. در این پژوهش تاثیر ضخامت و تخلخل لایه های نازک سیلیکا بر روی ضریب شکست و میزان عبور از لایه های اعمالی مورد ارزیابی قرار گرفته است. سیلیکا به کمک روش Sol-Gel بر روی نمونه هایی از جنس شیشه سودا- لیم لایه نشانی شده و به منظور بررسی های ساختاری، تصاویر میکروسکپی SEM، آنالیز EDAX و آنالیز XRD از سطح لایه های پوشش داده شده تهیه گردیده است. همچنین به کمک اسپکتروفتومتری نوری طیف پرتوهای عبور و جذب از سطح لایه های نازک اعمالی تهیه و با یکدیگر مقایسه شده است. نتایج حاصل نشان می دهد ضخامت و تخلخل لایه مقادیر عبور و جذب امواج تابیده شده را تحت تاثیر قرار می دهد و هر چه از ضخامت لایه کاسته شود مقدار ضریب شکست کاهش و قابلیت عبور نور افزایش می یابد.