امکان تنظیم حساسیت به بخار اتانل در حسگرهای گاز دو لایه ای ZnO/SnO2

در این مقاله، حساسیت به بخار اتانل در حسگرهای مقاومتی گاز ساخته شده بر مبنای لایه های نازک SnO2 و دولایه ای ZnO/SnO2 بررسی می شود. لایه های اکسیدفلزی حساس به گاز و اتصالات اهمی پلاتین را به روش PVD1 و با استفاده از “تبخیر با باریکه الکترونی“2 در خلا، روی زیر پایه پورسلانی3 لایه نشانی و نمونه های حاصل در دماهای مختلف ترمیم حرارتی شده است. نقش دمای فرایند در تعیین انرژی فعال سازی هدایت الکتریکی لایه بررسی و ملاحظه شد که با تغییر دما، انرژی فعال سازی هدایت و حساسیت مقاومت الکتریکی در لایه های دوگانه ZnO/SnO2 به بخار اتانل قابل تغییر و تنظیم است. حساسیت حسگرهای گاز ساخته شده با لایه های SnO2 و ZnO/SnO2 به اتمسفر حاوی بخار اتانل، اندازه گیری و با یگدیگر مقایسه شد. نتایج نشان می دهد که در شرایط ساخت و آزمون یکسان، حساسیت حسگر دولایه ای ZnO/SnO2 به بخار اتانل 6/1 برابر بیشتر از حساسیت حسگر تک لایه SnO2 است. استفاده از این روش برای کنترل حساسیت و ارائه یک درجه آزادی بیشتر در طراحی حسگرهای گاز، برای اولین بار در این مقاله مطرح می شود.