مطالعه رسانندگی و اختلاف سطح الکتریکی در لایه های نازک چند بلوری CuInTe2 و CuInSe2 همراه با ناخالصی اندیم

نویسنده:
پیام:
چکیده:
مواد CuInTe2 و CuInSe2 از نوع مثبت (P) چند بلوری هستند که با افزودن درصدی اندیم به ترکیب عنصری این مواد، قابلیت رسانندگی آنها افزایش می یابد. با تغییر ضریبهای هال RH و تحرک هال، در دماها و میدانهای مختلف، دریچه ای در P-CuInTe2 مشاهده شده است. با افزایش دما به بیش ازk 170 و تغییر RH، فاصله بین سطح دانه ها بیشتر می شود. با افزودن درصدی اندیم به این لایه ها، ضریب هال در گستره های دمایی k 200-77 ثابت می ماند. در این مقاله نشان خواهیم داد که در ماده CuInSe2 -P که به صورت لایه هایی با ترکیب عنصری است، با افزودن اندیم به دمای بیش از k 150، فاصله میان سطح دانه ها بیشتر می شود. در این مقاله، مقادیر در لایه های یاد شده مورد مطالعه قرار گرفته است.
زبان:
فارسی
صفحات:
87 -95
لینک کوتاه:
magiran.com/p900613 
روش‌های دسترسی به متن این مطلب
اشتراک شخصی
در سایت عضو شوید و هزینه اشتراک یک‌ساله سایت به مبلغ 300,000ريال را پرداخت کنید. همزمان با برقراری دوره اشتراک بسته دانلود 100 مطلب نیز برای شما فعال خواهد شد!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی همه کاربران به متن مطالب خریداری نمایند!