Design, simulation and fabrication of InSb infrared tracker sensors by Ion Implantation
Abstract:
This study has shown that if a photo detector which was made by Be+ implantation in InSb p+-n is protected by a SiO2 layer، better Electro- optical results will be gained in contrast with the case where it has direct implantation and does not have SiO2 layer. The dose and the energy of the of Gained photodiode by Be+ ion were 4×1014 cm2 and 100 KeV. I-V while a layer with the thickness of 0. 25 μm was covered over InSb p+-n in the thermal condition of 350 ˚C within 30 min and with the Leakage current of 200 nA/cm2 in the 50mV Reverse bias. The detectivity in the peak value was 9×1010 cmHz1/2W-1.
Language:
Persian
Published:
مجله علوم و فنون هوایی, Volume:13 Issue: 1, 2011
Page:
1
magiran.com/p925984  
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یک‌ساله به مبلغ 990,000ريال می‌توانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
  • حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران می‌شود.
  • پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانه‌های چاپی و دیجیتال را به کاربر نمی‌دهد.
دسترسی سراسری کاربران دانشگاه پیام نور!
اعضای هیئت علمی و دانشجویان دانشگاه پیام نور در سراسر کشور، در صورت ثبت نام با ایمیل دانشگاهی، تا پایان فروردین ماه 1403 به مقالات سایت دسترسی خواهند داشت!
In order to view content subscription is required

Personal subscription
Subscribe magiran.com for 50 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!