سلول حافظه ایستای (SRAM) زیرآستانه هشت ترانزیستوری با قابلیت های بهبودیافته خواندن و نوشتن

سلول حافظه SRAM شش ترانزیستوری معمولی در ولتاژهای کم قابلیت نوشتن مناسبی ندارد و نیز دچار خطاهای خواندن می شود. در این مقاله با ارائه یک طرح هشت ترانزیستوری برای سلول حافظه، علاوه بر بهبود قابلیت نوشتن، میزان خطای خواندن نیز به شدت کاهش یافته است. بدین ترتیب سلول ارائه شده توانایی کارکردن در ولتاژهای زیرآستانه در حد 275 میلی ولت را دارد، در حالی که سلول حافظه شش ترانزیستوری معمولی فاقد این قابلیت است. با طراحی سلول ارائه شده و سلول شش ترانزیستوری معمولی و نیز سه سلول دیگر از بین مقالات اخیر برای مقایسه در تکنولوژی 90 نانومتر صنعتی و انجام شبیه سازی با HSPICE ملاحظه شد که طرح مذکور در ولتاژ تغذیه 800 میلی ولت، تاخیر خواندن و نوشتن را به ترتیب به میزان 50% و 47.5%، نسبت به بهترین طرح از بین چهار طرح فوق کاهش داده است. همچنین میزان بهبود توان مصرفی یک عمل نوشتن در این ولتاژ، نسبت به بهترین طرح، 40% بوده است. از بین پنج طرح مقایسه شده، تنها طرح ارائه شده ما قابلیت کارکرد صحیح در ولتاژهای زیر آستانه را دارد. در انتها با تهیه چینش طرح ارائه شده در تکنولوژی 180 نانومتر صنعتی و انجام شبیه سازی بعد از چینش، اثر اضافه شدن پارامترهای پارازیتی در مدار چینش را مورد بررسی قرار داده ایم.