بررسی تاثیر پارامترهای مختلف بر سینتیک رسوب دهی پوشش SiC اعمال شده به روش CVD بر روی کامپوزیت کربن - کربن

در این پژوهش پس از اعمال پوشش SiC به روش رسوب دهی شیمیایی فاز بخار (CVD) بر روی کامپوزیت کربن-کربن، به بررسی تاثیر پارامترهای مختلف بر سینتیک رسوب دهی پرداخته شده است. به منظور بررسی فازی پوشش SiC از آنالیز XRD، ریز ساختار کامپوزیت کربن-کربن قبل و پس از اعمال پوشش SiC از آنالیز SEM و بررسی فرآورده های جانبی فرآیند از آنالیز EDS استفاده شده است. بر این اساس تاثیر پارامترهای دما، ترکیب گاز ورودی، زمان و موقعیت نمونه در رآکتور بر سرعت رسوب دهی بررسی شد. نتایج نشان می دهد با تغییر پارامترهای رسوب دهی با توجه به تغییر مکانیزم رسوب دهی، سرعت آن تحت تاثیر قرار می گیرد. همچنین تصاویر SEM نشان می دهد اندازه بلورهای SiC و ضخامت پوشش در شرایط بهینه رسوب دهی به ترتیب حدود nm 300 و mμ3 است. در نهایت، تصویر SEM سطح کامپوزیت کربن-کربن قبل و بعد از اعمال پوشش SiC مقایسه شده است.