مقالات رزومه دکتر سعیده رمضانی ثانی
-
مجله فصل مشترک ها، لایه های نازک و سیستم های با بعد کم، سال هفتم شماره 1 (Summer-Autumn 2023)، صص 739 -746نانوسیم های TiO2 با روش تبخیر حرارتی در فشارهای مختلف تهیه می شوند. اثرات فشار بر مورفولوژی، ریزساختار، و خواص فتولومینسانس توسط SEM، XRD و اسپکتروفتومتر بررسی شد. تجزیه و تحلیل XRD وجود فازهای روتیل را در نمونه ها نشان داد. از روش ویلیامسون هال برای بررسی میکروکرنشو اندازه کریستالیت استفاده شد. نتایج نشان داد که کاهش فشار منجر به افزایش میکروکرنش به دلیل افزایش کشش در مرز دانه با افزایش فضای خالی اکسیژن به عنوان نقص نقطه ای می شود. نانوسیم های TiO2 تهیه شده در فشار پایین تر، شدت های ضعیف تری را در طیف PL نشان می دهند که دلیل آن افزایش مراکز غیر تشعشعی به دست آمده از جای خالی اکسیژن است که به عنوان خاموش کننده، لومینسانس ممکن است حفره های الکترونی تولید شده را به دام بیندازد.کلید واژگان: نانوسیم های Tio2, سیستم, میکروکرنش, جاهای خالی اکسیژن, فتولومینسانس}Journal of Interface, Thin Film and Low Dimension Systems, Volume:7 Issue: 1, Summer-Autumn 2023, PP 739 -746TiO2 nanowires were prepared by a thermal evaporation method at different pressures. The effects of pressure on morphology, microstructure, and photoluminescence properties were investigated by SEM, XRD, and spectrophotometer. XRD Analysis indicated the presence of rutile phases in samples. Williamson-Hall method was used for studying micro strain and crystallite size. The results showed that decreasing pressure leads to increasing micro strain due to increasing tension in the grain boundary with increasing oxygen vacancies as point defects. TiO2 nanowires prepared in lower pressure indicated weaker intensities in the PL spectrum due to increasing nonradiative centers obtained by oxygen vacancies that as an extinguisher the luminescence may trap photogenerated electron-hole.Keywords: Tio2 Nanowires, Pressure, Microstrain, Oxygen Vacancies, Photoluminescence}
-
فصلنامه نانو مواد، پیاپی 44 (زمستان 1399)، صص 233 -237
در این مقاله، نانوسیم های TiO2 به روش هیدروترمال بر روی زیرلایه Ti رشد داده شد و سپس مورفولوژی و ساختار نمونه با استفاده از تکنیک های SEM و XRD بررسی شد. با استفاده از الگوهای پراش، مشخصات میکروساختاری از جمله اندازه دانه های بلور، میکروکرنش، کرنش حجم و ضریب بافت مورد مطالعه قرار گرفت. تصویر SEM وجود نانوسیم هایی با قطر nm 20-110 و طول هایی با ده ها میکرومتر را نشان داد. در مراحل رشد هیدروترمال، ابتدا یک لایه TiO2 بر روی سطح ایجاد می شود که با افزایش دما، لایه به نانوورق و سپس به نانومیله و در نهایت نانوسیم های TiO2 تبدیل می شوند. به منظور بررسی مشخصات میکروساختاری، از تکنیک XRD استفاده شد. تحلیل های XRD وجود فاز روتایل با جهت ارجح (101) را نشان داد که محاسبه ضریب بافت نمونه نیز آن را تایید نمود. برای محاسبه پارامترهای کرنش و اندازه بلور، از روش معمول ویلیامسون-هال (W-H) استفاده شد. با توجه به رسم نمودار W-H، اندازه بلور و میکروکرنش به ترتیب برابر با nm 25 و 0008/0 بدست آمد. اندازه بلور با روش شرر نیز محاسبه شد و مقدار آن nm 26/34 بدست آمد و علت تفاوت آن با روش ویلیامسون-هال بیان شد. همچنین نتایج نشان داد که در سطح شبکه بلور، انقباض رخ داده و شبکه تحت تنش فشاری قرار گرفته است که بر اثر آن حجم 94/2 درصد کاهش یافته است. محاسبه ضریب بافت، وجود جهت ارجح (101) فاز روتایل را نشان داد.
کلید واژگان: نانوسیم TiO2, هیدروترمال, خواص میکروساختاری, کرنش شبکه} -
مجله فصل مشترک ها، لایه های نازک و سیستم های با بعد کم، سال دوم شماره 2 (winter-spring 2019)، صص 149 -156
در این پژوهش، لایه های نازک دی اکسید تیتانیوم (TiO2) آلاییده شده با نانو لوله های کربنی چند دیواره (MWCNT)، با استفاده از روش غوطه وری تهیه شدند. نمونه های به دست آمده توسط SEM و EDX و XRD و طیف سنجی جذب UV-Vis مشخصه یابی شدند. تحلیل های XRD حضور فاز آناتاز را نشان دادند. در طیف جذب MWCNT/TiO2 به دلیل آلایش با کربن انتقال لبه جذب به سمت ناحیه قرمز مشاهده شد. به منظور بررسی خواص فوتوکاتالیستی لایه ها، تخریب محلول متیلن بلو (MB) در نور مریی (nm700-400) توسط کاتالیست MWCNT/TiO2 انجام شد. لایه های نازک MWCNT/TiO2 فعالیت فوتوکاتالیستی بالاتری نسبت به لایه های نازک TiO2 خالص نشان دادند که ناشی از کاهش سرعت بازترکیب الکترون – حفره است. تخریب محلول متیلن بلو با منابع نوری مختلف (نور سفید و نورآبی) نشان داد که نمونه ها تحت تابش نورسفید فعالیت فوتوکاتالیستی بیشتری دارند.
کلید واژگان: نانو لوله های کربنی, دی اکسید تیتانیوم فوتوکاتالیستی, نور مرئی}Journal of Interface, Thin Film and Low Dimension Systems, Volume:2 Issue: 2, winter-spring 2019, PP 149 -156Multi-walled carbon nanotubes (MWCNT)-doped TiO2 thin films were synthesized by the dip-coating method. The obtained products were characterized by SEM, EDX, XRD, and UV-vis absorption spectroscopy. The XRD patterns showed the presence of anatase phase. Absorption spectrum of MWCNT-doped TiO2 revealed a red shift in the optical absorption edge due to carbon doping. The photocatalytic properties were investigated using methylene blue (MB) degradation under visible light (400-700 nm). MWCNT/TiO2 thin films exhibited significantly higher photocatalytic activity as compared to undoped TiO2 thin films due to reduction of the rate of electron-hole recombination by doping carbon. Photocatalytic activity studies with different light source (white light and blue light) indicated a significantenhancement in photocatalytic removal under white light irradiation.
Keywords: Carbon nanotubes, TiO2, photocatalytic, visible light} -
This study reports the fabrication of n-TiO2/p-Si hetrojunction by deposition of TiO2nanowires on p-Si substrate. The effect of system pressure and the current-voltage (I-V) characteristics of n-TiO2/p-si hetrojunction were studied. The morphology of the samples was investigated by Field Emission Scanning Electron Microscopy (FESEM) which confirms formation of TiO2 nanowires that their diameters increase with increasing the pressure of system. The I-V characteristics were measured to investigate the hetrojunction effects of under forward and reverse biases at different system pressure by sweeping in the voltage from 0 to +6 V, then to -6 V, and finally reaching 0 V. TiO2/Si diodes in the system pressure 60 mbar and 30 mbar indicated that a p-n junction formed in the n-TiO2/p-Si hetrojunction. But as the system pressure increased to 1000 mbar, the I-V characteristics became inversed. This treatment can be scribed by the change of the energy band structure of TiO2.Keywords: TiO2 nanowires, System pressure, I, V characteristics, Hetrojunction}
-
در این مقاله اثر افزایش تخلخل و تغییرات میکروساختاری سطحی بر روی خواص اپتیکی و دی الکتریکی سیلیکان متخلخل بررسی شده است. تخلخل به عنوان یک ناهمواری سطحی در ابعاد میکرونی یا کوچکتر، که اثرات کوانتومی در فرایند جذب و انعکاس از سیلیکان متخلخل را نشان می دهد و نسبت به خواص اپیتکی سیلیکان کپه ای کاملا متفاوت، در نظر گرفته می شود...
کلید واژگان: خواص اپتیکی سیلیکان متخلخل, ثابتهای اپتیکی, کرامز, کرونیگ, تقریب, محیط موثر (EMA), ضریب جذب, رسانندگی اپتیکی}We have studied the effect of increasing porosity and its microstructure surface variation on the optical and dielectric properties of porous silicon. It seems that porosity, as the surface roughness within the range of a few microns, shows quantum effect in the absorption and reflection process of porous silicon. Optical constants of porous silicon at normal incidence of light with wavelength in the range of 250-3000 nm have been calculated by Kramers-Kroning method. Our experimental analysis shows that electronic structure and dielectric properties of porous silicon are totally different from silicon. Also, it shows that porous silicon has optical response in the visible region. This difference was also verified by effective media approximation (EMA). -
در این مقاله پاسخ زیرترازهای لاندائو نسبت به تغییر شار در ناخالصی های ناهمسانگرد بررسی شده است. در حضور این ناخالصی ها، ترازهای لاندائو که به صورت تابع دلتا بوده اند، به دو دسته ترازهای گسترده و جایگزیده تبدیل شده و پله هال ایجاد می شود. مشاهده می شود اگر توزیع ناخالصی در جهت جریان، نسبت به جهت دیگر بیشتر باشد، در آن صورت ترازهای جایگزیده، نسبت به حالت توزیع همسانگرد، از مبدا دورتر می شوند و پله هال به طور واضحتر دیده می شود. برای سیستمهایی با میزان ناخالصی زیاد برای مشاهده اثر هال، توزیع ناخالصی باید در جهت جریان و به صورت ناهمسانگرد باشد.
کلید واژگان: ترازهای لاندائو, توزیع ناهمسانگرد, پله هال, ترازهای گسترده و جایگزیده}We have studied a practical approach for the inclusion of non-isotropic impurities in the systems showing integer quantum Hall effect. We observe that if the impurity distribution in the direction which the electric field applys, then the localized levels goes out from the origin with respect to the isotropic case, and the Hall step will the clearly observed. -
در این مقاله اثر صحیح کوانتومی هال با اعمال ناخالصی، به دو صورت تابع دلتای دیراک و تابع گوسی به روش تبدیل پیمانه ای بررسی شده است. در حضور این ناخالصی ها، ترازهای لاندائو به دو دسته ترازهای گسترده و جایگزیده تبدیل شده و پله هال ایجاد می گردد. در ادامه یک ناخالصی به صورت نقطه کوانتومی به سیستم دارای ناخالصی، اضافه می شود و مشاهده می گردد که افزایش پهنا و ارتفاع نقطه کوانتومی در جهت از بین بردن پله عمل می کند و در نهایت اثر کوانتومی هال محو می شود. نتایج محاسبات عددی در این مقاله، بیان لافلین را در توجیه اثر کوانتومی هال تایید می کند.
کلید واژگان: سیستمهای مزوسکوپیک, اثر کوانتومی هال, تبدیل پیمانه ای, نقطه کوانتومی}In this paper we study the integer quantum Hall effect (IQHE) on the systems with different types of impurities in delta and gaussian forms. The Landau energy levels in the presence of impurity split in two different levels,the extended and localized levels, emerging then the Hall step. Finally, we add a specified form of a quantum dot potential to a system with impurity, and observed that increasing the width and height of quantum dot result in removing the Hall step and disappearing the Hall effect. The numerical calculations are in a good agreement with Laughlin’s argument and Prange’s calculation of quantum hall effect.
- این فهرست شامل مطالبی از ایشان است که در سایت مگیران نمایه شده و توسط نویسنده تایید شدهاست.
- مگیران تنها مقالات مجلات ایرانی عضو خود را نمایه میکند. بدیهی است مقالات منتشر شده نگارنده/پژوهشگر در مجلات خارجی، همایشها و مجلاتی که با مگیران همکاری ندارند در این فهرست نیامدهاست.
- اسامی نویسندگان همکار در صورت عضویت در مگیران و تایید مقالات نمایش داده می شود.
©2000-2024 magiran.com All Rights Reserved.