بررسی اثر ضخامت زیرلایه بر جذب تک لایه های TMDC در ناحیه طول موج مرئی

لایه های دوبعدی دی کالکوجنایدهای فلزات واسطه (TMDC) با گاف های نواری مستقیم، افق جدیدی در کاربری این مواد در فوتونیک و الکترواپتیک ایجاد کرده است. وجود گاف نواری باعث جذب اپتیکی چشمگیر این لایه ها در دستگاه های فوتوولتاییک می شود. قرارگیری این لایه ها روی زیرلایه به علت بازتاب های متوالی، بر طیف جذب اثر می گذارد. به طور متداول، از SiO2 یاSi و یا ترکیب آنها به عنوان زیرلایه برای این تک لایه ها استفاده می شود. در این مقاله با استفاده از روش ماتریس انتقال، طیف جذب تک لایه های TMDC شامل MoSe2، WSe2،MoS2 و WS2 با حضور زیرلایه SiO2یاSi و یا دوتایی SiO2/Si با ضخامت های مختلف لایه SiO2 بررسی شد. ضخامت 90 نانومتر لایه SiO2 در زیرلایه دوتایی به عنوان ضخامت بهینه انتخاب شد؛ چرا که روند کلی جذب را تغییر نمی دهد و باعث افزایش جذب در بعضی نواحی طول موجی می شود.