بررسی خواص الاستیک، مکانیکی، الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب نیم هویسلر NbBiCs به روش نظریه تابعی چگالی

با استفاده از نظریه تابعی چگالی پیش بینی شد که آلیاژ نیم هویسلر NbBiCs  می تواند کاندیدای بالقوه ای برای به کار رفتن وسایل در وسایل اسپینترونیک و اپتوالکترونیک باشد. با استفاده از محاسبات اصول اولیه بر پایه نظریه تابعی چگالی (DFT) با تقریب گرادیان شبه تعمیم یافته (GGA)، خواص الاستیک، مکانیکی، الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب نیم هویسلر NbBiCs در حالت انبوهه مطالعه شد. قطبش اسپینی در سطح فرمی برای ترکیب نیم هویسلر NbBiCs، اعداد 6/97% و 100% به ترتیب با استفاده تقریب های GGA و GGA+mBJ به دست آمده است. بخش حقیقی تابع دی الکتریک برای ترکیب NbBiCs در فاز  برای انرژی های بیشتر از 20 eV به عدد یک همگرا شده اند که نشان می دهد آن به عنوان یک عایق ایزوتروپیک رفتار می کند و همچنین ضریب شکست برای انرژی های بیشتر از eV 5/7 کمتر از عدد یک شده است که این معرف پدیده فوق العاده درخشان است.