مطالعه خواص نوری لایه های نازک سولفید تنگستن بازپخت شده در محیط های مختلف شامل آرگون، آرگون/هیدروژن، آمونیاک/آب و اکسیژن

در این پژوهش، نانوساختارهای دی سولفید تنگستن به روش رسوب بخار شیمیایی گرمایی در کوره سه ناحیه ای بر روی زیرلایه های SiO2/Si سنتز شدند. بدین منظور پودرهای گوگرد و اکسید تنگستن به ترتیب در ناحیه های اول و سوم در دماهای 220 و 1100 درجه سانتیگراد تحت جریان گاز آرگون قرار گرفتند. جهت بررسی ریخت شناسی لایه های رشد یافته از میکروسکوپ الکترونی روبشی استفاده شد. تصاویر بدست آمده نشان دهنده رشد صفحات شش وجهی بود. سپس نمونه ها جهت بازپخت، در بوته ای در مرکز کوره تک ناحیه ای قرار داده شدند. لایه های رشد یافته تحت گازهای مختلف آرگون، آرگون/هیدروژن، آمونیاک/آب و اکسیژن در دمای 450 درجه سانتیگراد به مدت 30 دقیقه دوباره پخت شدند. جهت بررسی اثر بازپخت، آزمون های پراش پرتو ایکس، طیف سنجی رامان و طیف سنجی فرابنفش-مریی انجام شد. نتایج حاکی از تاثیر محیط آرگون/هیدروژن بر روی بهبود خواص نوری و بلوری لایه های سنتز شده است.