محققان کانادایی نوعی روش دستکاری خودکار برای ساخت ترانزیستورهای اثر میدان (FET) ابداع کردند که محدودیت های روش های رایج بالابه پائین را ندارد و امکان کنترل دقیق تعداد نانوسیم ها و نانولوله های به کار رفته در تجهیزات نانویی را فراهم می کند.

ترانزیستورهای اثر میدان، ترانزیستورهایی هستند که برای کنترل شکل و رسانایی یک کانال در یک نیمه هادی به میدان الکتریکی وابسته اند. در سال 2005 محققان به کمک آزمایش های مختلف نشان دادند که نانوسیم های سیلیکونی می توا نند به عنوان کانال منبع- تخلیه (Source-Drai N) مورد استفاده قرار گیرند. اتصال یک بیومولکول به یک گیرنده به تولید اثر میدان منجر می شود که