فهرست مطالب نویسنده:
sheshdeh
-
زمینه و هدفناشنوایی اختلالی حسی- عصبی و از شایع ترین نقایص مادرزادی است که بروز آن برابر یک در 500 نوزاد می باشد. ناشنوایی یک اختلال بسیار ناهمگن است و نیمی از موارد ناشنوایی با علل ژنتیکی مرتبط است؛ علل محیطی و ناشناخته مسئول باقیمانده می باشند. نوع غیرسندرومی حدود 70% موارد ناشنوایی را شکل می دهد. الگوی وراثت نزدیک به 80% این نوع ناشنوایی به صورت مغلوب اتوزومی است. جمعیت ایرانی به دلیل نرخ بالای ازدواج خویشاوندی منبع ژنتیکی باارزشی را جهت مطالعه این نوع ناشنوایی فراهم می آورد. در این مطالعه پیوستگی ژنتیکی لوکوس های DFNB48 (CIB2) و DFNB98 (TSPEAR) در ناشنوایی خانواده های ناشنوای غیرسندرومی مغلوب اتوزومی در استان خوزستان بررسی شده است.روش بررسیدر این مطالعه توصیفی- آزمایشگاهی 300 فرد از 25 خانواده جهت تعیین نوع و شیوع جهش های دو لوکوس DFNB48 و DFNB98 در استان خوزستان بررسی شد. انتخاب خانواده ها دارای معیارهایی بود. خانواده های دارای والدین سالم، ازدواج خویشاوندی، وجود حداقل 2 فرد ناشنوا در خانواده و همچنین منفی بودن جهش GJB2 انتخاب شدند. 3 خانواده که برای جهش در GJB2 مثبت تشخیص داده شدند از مطالعه خارج شدند. آنالیز پیوستگی برای 22 خانواده با استفاده از 6 نشانگر STR داخلی یا نزدیک به این دو لوکوس انجام شد.یافته هاهیچ یک از خانواده های بررسی شده با آنالیز پیوستگی به لوکوس های DFNB48 و DFNB98 پیوستگی نشان نداد.نتیجه گیریبا توجه به نتیجه این مطالعه به نظر می رسد جهش های ژن CIB2 و ژن TSPEAR اهمیت چندانی در بروز ناشنوایی در استان خوزستان ندارد.کلید واژگان: DFNB48، DFNB98، ناشنوایی غیرسندررمی مغلوب اتوزومی، بررسی پیوستگی ژنتیکیBackground And AimsHearing loss, a sensorineural disorder, is one of the most common congenital impairments, occurring in approximately 1 in 500 newborns. Hearing loss is a highly heterogenic disease and half of the cases of deafness are attributed to genetic causes; environmental and unknown factors account for the remainder. Non-syndromic type forms 70% of hearing loss cases. Pattern of inheritance of nearly 80% of this type of HL is recessive autosomal. Iranian population provides a valuable genetic resource to study this kind of HL because of high ratio of consanguinity. In this study, genetic linkage of DFNB48 (CIB2) and DFNB98 (TSPEAR) is investigated in families with ARNSHL impairment from Khouzestan province.MethodsIn this descriptive study 300 individuals of 25 families with hearing loss were examined in order to determine type and frequency of mutation of DFNB48 and DFNB98 loci in Khouzestan province. Familie's selection had some criteria. Families with healthy parents, consanguineous marriage and negative result for mutations of GJB2 gene with at least two affected individuals were selected. 3 families which were detected positive for mutations of GJB2 gene were excluded from study. Linkage analysis was done for 22 families by using six STR markers which were located in or were tightly linked to each locus.ResultsNone of these families inspected by linkage analysis was linked to the DFNB48 or DFNB98 loci.ConclusionConsidering these results it seems that CIB2 and TSPEAR genes mutations have not important roles in hearing loss in Khouzestan province.Keywords: DFNB48 locus, DFNB98 locus, ARNSHL, Linkage analysis
-
A new on-chip HCI sensor based on measurement of fall transition time dierence due to HCI between a stressed and reference inverter is proposed that has very small resolution while output has high correlation with HCI eect. Based on this new idea, a novel TDDB sensor is also proposed that is capable to detect both soft and hard breakdowns while it has low area overhead and high sensitivity. Dierential structure of both sensors eliminates the eect of common-mode environmental variation, such as temperature. 180 nm TSMC technology and 65 nm of PTM are used for simulation. Analysis conrms HCI and TDDB sensor performances with 17% and 15% errors, respectively, in comparison with simulation results. The implemented layout area of both sensors is 10118 m2.Keywords: TDDB, HCI, Sensor, Fall, Transition
-
In this paper, an on-chip NBTI sensor based on rise transition time di erence measurement of inverter is proposed. This sensor supports both AC and DC stress mode with very short measurement time of 50 nsec. The new sensor, with direct correlation between Vth degradation and its output voltage change, has a resolution of 1 mV per 0.5 mV threshold voltage shift. Di erential structure of the sensor eliminates the e ect of common-mode environmental variation such as temperature. A 65 nm CMOS technology model is used for simulation of the sensor. The average power consumption of this sensor is 0.14 W in stress mode and 4.54 W during measurement mode. The implemented layout area is 98.9 m2.Keywords: Reliability, Aging, NBTI, Sensor, Slew rate.
بدانید!
- در این صفحه نام مورد نظر در اسامی نویسندگان مقالات جستجو میشود. ممکن است نتایج شامل مطالب نویسندگان هم نام و حتی در رشتههای مختلف باشد.
- همه مقالات ترجمه فارسی یا انگلیسی ندارند پس ممکن است مقالاتی باشند که نام نویسنده مورد نظر شما به صورت معادل فارسی یا انگلیسی آن درج شده باشد. در صفحه جستجوی پیشرفته میتوانید همزمان نام فارسی و انگلیسی نویسنده را درج نمایید.
- در صورتی که میخواهید جستجو را با شرایط متفاوت تکرار کنید به صفحه جستجوی پیشرفته مطالب نشریات مراجعه کنید.