بررسی خصوصیات الکتریکی پیزو سرامیک های بدون سرب تیتانات بیسموت سدیم پتاسیم در نزدیکی مرز فازی مورفوتروپیک

پیزوسرامیک بدون سرب TiO3 Bi0.5 (Na1-xKx) 0.5 با نام مختصر BNKTx با مقادیر مختلف پتاسیم 24/0، 22/0، 20/0، 18/0x= به روش سنتز حالت جامد تهیه شد. بررسی فازی نمونه ها توسط پراش اشعه x نشان داد که تمامی ترکیب ها دارای ساختار پروسکایت خالص می باشند. در ادامه خصوصیات دی الکتریکی، فروالکتریکی و پیزوالکتریکی نمونه ها تعیین شد. افزایش مقدار پتاسیم سبب کاهش دمای قطبش زدایی Tdدر نمونه ها می شود. اندازه گیری حلقه پسماند در دمای اتاق نشان داد که بیشترین مقدار میدان وادارنده و قطبش پس ماند به ترتیب در نمونه های 18/0x= و 20/0x= بدست آمد. بررسی کرنش در میدان الکتریکی در دمای اتاق برای تمام نمونه ها انجام شد و بیشترین مقدار کرنش در نمونه 20/0x= برابر 13/0 درصد حاصل شد. کرنش در دمای نزدیک Td به مقدار بسیار بالای 36/0 درصد در نمونه 20/0x= رسید. بهترین خصوصیات دی الکتریکی و پیزوالکتریکی در نمونه 20/0x= نشان داد که ترکیب مذکور همان ترکیب مرز فازی مورفوتروپیک MPB در این سیستم می باشد.