اثر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص ها روی رسانش وابسته به اسپین یک نانو سیم فرومغناطیس

در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تاثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص و افزایش تعداد آن در یک سیم فرومغناطیسی رسانش بدون (همراه با) وارون شدن اسپین الکترون، کاهش (افزایش) می یابد. همچنین رسانش شدیدا به چرخش گشتاور مغناطیسی نقص وابسته است و با افزایش تعداد نقص این وابستگی محسوس تر می گردد.