اثر مدت زمان اکسیداسیون حرارتی لایه های نازک Zn فلزی بر روی مورفولوژی و خصوصیات ساختار نانو سیم های اکسید روی

در این پژوهش نانوسیم های اکسید روی با خواص ساختاری بالا از طریق اکسیداسیون حرارتی لایه های نازک Zn فلزی رشد داده شدند. فیلم های Zn با ضخامت 250 نانومتر با استفاده از تکنیک تبخیر در خلاء بر روی زیرلایه شیشه لایه نشانی گردیدند. جهت رشد نانوسیم های اکسید روی، فیلم های Zn لایه نشانی شده به مدت 30 دقیقه، 1ساعت و 3 ساعت در دمای ̊C600 در محیط هوا با استفاده از یک کوره افقی اکسید شدند. مورفولوژی سطح نمونه ها با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی مشخص گردید و نتایج نشان داد که با افزایش مدت زمان فرآیند اکسیداسیون، میزان شکل گیری و طول نانوسیم های اکسید روی افزایش می یابد. در طیف EDX نمونه ها به جزء اکسیژن و روی عنصر دیگری یافت نشد که نشان دهنده خلوص بالای نانوسیم های اکسید روی رشد یافته است. نتایج حاصل از آنالیز XRD همچنین نشان داد نانوسیم های اکسید روی دارای ساختار ورتسایت با پیک ترجیحی قوی (002) می باشد.