مقایسه ساختار و مورفولوژی لایه های نازک Cu بر زیر لایه GaAs در روش های الکتروانباشت و الکترولس

در این تحقیق لایه های نازک مس بر زیرلایه ی نیم رسانای گالیوم آرسناید نوع n به دو روش الکتروانباشت و الکترولس رشد داده شدند. لایه های الکتروانباشت شده با مد جریان ثابت از mA 5 تا mA 30 و لایه های الکترولس شده در دماهای مختلف oC 25، oC 77 تهیه شدند. ساختار و ریخت شناسی لایه ها به کمک دستگاه های XRD و SEM مورد بررسی قرار گرفت. سپس پارامتر زبری لایه های الکتروانباشت شده در جریان های مختلف انباشت و هم چنین زبری لایه های الکترولس شده در دماهای مختلف به کمک میکرسکوپ نیروی اتمی AFM مطالعه و با یکدیگر مقایسه می شوند.