مدار مرجع ولتاژ با قابلیت کار در ناحیه زیرآستانه مناسب استفاده در کارت های هوشمند

یک مدار مرجع ولتاژ CMOS بر اساس اختلاف ولتاژ گیت – سورس یک ترانزیستور از نوع PMOS و دو ترانزیستور از نوع NMOS ارائه شده است. به منظور کاهش مصرف جریان، المان های پسیو این مدار به حداقل رسیده است و همچنین تمام ترانزیستورها در ناحیه زیر آستانه بایاس شده اند. جهت بهبود نسبت حذف نویز تغذیه PSRR)) در بخش بایاس از یک مدار بایاس با وابستگی کم به تغییرات تغذیه استفاده شده است. جریان مصرفی این مرجع ولتاژ 154 نانو آمپر در ولتاژ تغذیه 3 /3 ولت می باشد و ولتاژ مرجع 1/27 ولت را ایجاد می کند. ثابت دمایی این مرجع ولتاژ 59 ppm/C می باشد. مقدار نسبت حذف نویز تغذیه در فرکانس های Hz 100 و MHz 10 به ترتیب dB 92- و dB 66- می باشد. این مرجع ولتاژ یک ولتاژ ثابت به منظور استفاده در کنار رگولاتور ایجاد می کند و با توجه به مشخصات گفته شده، مناسب استفاده در کارت های هوشمند بدون تماس می باشد.