ترابرد الکترونی در پیوندگاه بر پایه مولکول dsDNA: یک مدل فیبوناچی

در این مقاله خواص ترابرد الکترونی از طریق مولکول DNA بر پایه یک رشته شبه تناوبی از نئوکلوتیدهای آن به صورت عددی بررسی می-شود. با استفاده از یک روش تابع گرین تعمیم یافته، رسانش الکترونی مولکول DNA به صورت رشته poly(GACT)-poly(CTGA) در ساختاری به صورت مدل فلز / DNA / فلز مطالعه می شود. با استفاده از یک طرح بازبهنجارش، هامیلتونی دو رشته مولکول DNA (dsDNA) را به یک هامیلتونی موثر متناظر با یک زنجیر یک بعدی تبدیل می کنیم که در آن انرژی های جایگاهی به صورت یک شبکه شبه تناوبی متناظر با یک رشته فیبوناچی مرتب می شوند. مشخصه جریان- ولتاژ مولکول DNA در این مدل فیبوناچی بررسی و با مشخصه متناظر برای مولکول دو رشته ای DNA در ساختار poly(GACT)-poly(CTGA) مقایسه می شود. نتایج ما نشان می دهد که اثر عمده آرایش شبه تناوبی از نئوکلوتیدها (به صورت یک رشته فیبوناچی) بر ساختار الکترونی مولکول DNA این است که شکاف انرژی نیمرسانندگی مولکول DNA از بین می رود و مشخصه جریان- ولتاژ مدل فیبوناچی مولکول DNA رفتار خطی و شبه- اهمی از خود نشان می دهد.