بررسی اثر فوتورسانش با لیزر اگزایمر و تحولات ساختاری، اپتیکی و شیمیایی در لایه های نازک ZnO

در این پژوهش لایه های نازک اکسید روی آلائیده با آلومینیوم به غلظت های 0، 3، 6 و 12 درصد مولی آلومینیوم به روش سل ژل بر روی زیرلایه شیشه ساخته شد. لایه های آماده شده در دماهای °C500-300 به مدت یک ساعت در هوا پخت شدند. پراش پرتو ایکس (XRD) ساختار بلوری ورتسایت هگزاگونال برای لایه های بازپخت شده در دمای بالاتر از °C 400 نشان داد. سپس لایه ها تحت تابش پرتو لیزر (nm 248 = λ، KrF) قرار گرفتند. تحول ساختار بلوری و مورفولوژی سطح با استفاده از XRD، میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدان (FE-SEM) انجام شد. اندازه گیری زمان پاسخ جریان الکتریکی در طول تابش پرتو لیزر مقاومت پایا و گذرا وابسته به نوع نمونه را نشان می دهد. اثر انرژی لیزر بر رسانندگی فوتونی نیز بررسی شد و با استفاده از طیف فوتولومینسانس (PL) و طیف سنجی فوتوالکترون پرتو ایکس (XPS) اثر رسانندگی فوتونی ناشی از پرتو لیزر مورد بررسی قرار گرفت.