بررسی الکترواپتیکی لایه های نازک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به منظور طراحی قطعه الکتروکرومیک

در این مطالعه لایه های نازک الکتروکرومیک اکسید تنگستن و اکسید وانادیوم به روش فیزیکی تبخیر حرارتی در خلا در ضخامت 200 نانومتر بر روی زیر لایه هادی شفاف SnO2:F جایگذاری شده و مورد مطالعه اپتیکی در بازه طول موج 400 تا 700 نانومتر و مطالعه الکتریکی در بازه پتانسیل 5/1- تا 5/1+ ولت قرار گرفته اند. همچنین این لایه ها به منظور بررسی میزان تغییر گاف انرژی با دما، در دماهای 120، 300 و 500 درجه سیلسیوس بازپخت شدند. ضرایب شکست و خاموشی و نوع گذار این لایه ها در محدوده نور مرئی در ضخامت 200 نانومتر تعیین و اندازه گیری شده اند. همچنین طرح الگوی پراش اشعه X و تصویر SEM و چرخه ولتامتری لایه ها نیز مورد مطالعه قرار گرفته اند. نتایج این مطالعه با توجه به نوع لایه نشانی، ضخامت انتخاب شده لایه ها، نوع زیرلایه انتخابی، بازه دماهای بازپخت و الکترولیت انتخاب شده، در تطابق کامل با کار دیگر محققین است. بنابراین، این لایه ها با دارا بودن خصوصیاتی نظیر ساختار بلوری، ضرایب شکست و خاموشی یکنواخت در محدوده نور مرئی، پاسخ دهی مناسب کرومیکی در تکرار سوئیچ های پتانسیلی، چسبندگی خوب به زیرلایه، و میزان درصد عبور اپتیکی بالا، بکارگیری در یک قطعه الکترکرومیک کامل را پیشنهاد می کنند.