طراحی تقویت کننده کم نویز با gm افزایش یافته مبتنی بر استفاده از سلف فعال در کاربردهای با پهنای باند بسیار بالا
نویسنده:
چکیده:
در این مقاله ساختار جدیدی بر پایه سلف فعال به منظور بهینه سازی عملکرد نویز و سطح مصرفی یک تقویت کننده کم نویز LNA)) فراپهن باند گیت-مشترک با gm افزایش یافته معرفی شده که در آن از یک تقویت کننده سورس-مشترک به عنوان طبقه تقویت gm استفاده شده است. همچنین سلف غیر فعال درون-تراشه ای بزرگ مورد نیاز در طراحی LNA، توسط یک سلف فعال جایگزین شده است که این موضوع مساحت کل تراشه LNA پیشنهادی را به میزان قابل ملاحظه ای کاهش می دهد. این تقویت کننده در فناوری mμ 18 /0 استاندارد CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. بهره توان مستقیم و مسطح(S21)، dB 0/85± 11/85، ایزولاسیون معکوس S12))، کمتر از dB -56/1، تلفات بازگشتی ورودی (11S)، کمتر از dB -9/64 و عدد نویز NF) dB 4/9-4/6) در کل محدوده فرکانسی GHz 10/6-3/1 به دست آمده اند. همچنین مقدار توان تلف شده به ازای ولتاژ تغذیه V 1/8، mW 13/6 می باشد.
کلیدواژگان:
زبان:
فارسی
در صفحه:
45
لینک کوتاه:
magiran.com/p1432168
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یکساله به مبلغ 1,390,000ريال میتوانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.
In order to view content subscription is required
Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!