طراحی تقویت کننده کم نویز با gm افزایش یافته مبتنی بر استفاده از سلف فعال در کاربردهای با پهنای باند بسیار بالا

در این مقاله ساختار جدیدی بر پایه سلف فعال به منظور بهینه سازی عملکرد نویز و سطح مصرفی یک تقویت کننده کم نویز LNA)) فراپهن باند گیت-مشترک با gm افزایش یافته معرفی شده که در آن از یک تقویت کننده سورس-مشترک به عنوان طبقه تقویت gm استفاده شده است. همچنین سلف غیر فعال درون-تراشه ای بزرگ مورد نیاز در طراحی LNA، توسط یک سلف فعال جایگزین شده است که این موضوع مساحت کل تراشه LNA پیشنهادی را به میزان قابل ملاحظه ای کاهش می دهد. این تقویت کننده در فناوری mμ 18 /0 استاندارد CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. بهره توان مستقیم و مسطح(S21)، dB 0/85± 11/85، ایزولاسیون معکوس S12))، کمتر از dB -56/1، تلفات بازگشتی ورودی (11S)، کمتر از dB -9/64 و عدد نویز NF) dB 4/9-4/6) در کل محدوده فرکانسی GHz 10/6-3/1 به دست آمده اند. همچنین مقدار توان تلف شده به ازای ولتاژ تغذیه V 1/8، mW 13/6 می باشد.