فهم ساز و کار تداخل توابع موج در مولکول بنزن به کمک محاسبه عدد اشغال الکترونی

در این مقاله، در رهیافت تنگ بست و به روش تابع گرین به محاسبه رسانش و عدد اشغال الکترونی یک مولکول بنزن پرداخته ایم، که به صورت اتصال های ارتو، متا و پارا به دو هادی فلزی ساده متصل شده است. اثر عواملی همچون محل اتصال هادی ها، قدرت دوپارش و اعمال ولتاژ، را روی مقدارعدد اشغال الکترونی در مسیرهای ممکن عبور الکترون بررسی کرده ایم. نتایج محاسبات حساسیت نسبتا زیاد مقدار عدد اشغال را به این عوامل نشان می دهد. محاسبه مقدار میانگین عدد اشغال مربوط به دو مسیر حرکت الکترون در مولکول بنزن نشان می دهد مسیری که تعداد بیشتری پیوند دوگانه دارد، سهم بیشتری در تعیین مقدار رسانش دارد.