بررسی عددی آنتروپی تولیدی جریان نانوسیال در کانال سینوسی عمودی تحت میدان مغناطیسی

در این مطالعه آنتروپی تولیدی ناشی از جابجایی ترکیبی نانوسیال آب- Al2O3 در یک کانال عمودی با دیواره های سینوسی تحت میدان مغناطیسی ثابت و یکنواخت به صورت عددی بررسی شده است. در این کار تاثیر پارامترهایی نظیر،کسر حجمی نانوذرات، دامنه ی موج سینوسی، عدد بی بعد رینولدز، عدد بی بعد گراشف و عدد بی بعد هارتمن مورد مطالعه قرار گرفت. این مطالعه با فرض جریان آرام، پایا و غیرقابل تراکم و خواص ترموفیزیکی ثابت برای نانوسیال انجام گرفته است. برای محاسبه تغییرات چگالی ناشی از نیروی شناوری از تقریب بوزینسک و برای شبیه سازی جریان از روش حجم محدود و مدل مخلوط دو فازی استفاده شده است. نتایج نشان می دهند که افزودن نانوذره به سیال پایه، موجب افزایش آنتروپی تولیدی ناشی از انتقال حرارت و آنتروپی جریانی می شود. آنتروپی تولیدی ناشی از انتقال حرارت با افزایش عدد رینولدز، کاهش و با افزایش عدد گراشف، افزایش می یابد، در حالیکه عکس این روند برای آنتروپی تولیدی ناشی از ویسکوزیته مشاهده می شود. بررسی اثرات شدت میدان مغناطیسی اعمال شده نشان داد که با افزایش شدت میدان مغناطیسی، آنتروپی تولیدی ناشی از انتقال حرارت، ابتدا افزایش و سپس کاهش می یابد. آنتروپی جریانی نیز با اعمال میدان مغناطیسی کاهش پیدا می کند. همچنین نتایج نشان داد که برای تمامی شدت میدان های مغناطیسی بررسی شده، موج دار کردن کانال، آنتروپی تولید شده را کاهش می دهد.