A novel SOI MESFET by using an additional Oxide Region in channel for high power and high frequency applications
Author(s):
Abstract:
In this paper a novel SOI MESFET presented which has better DC and frequency characteristics compared with conventional one. The key idea of this work is modifying carrier concentration by using an additional Oxide Region in channel (ORSOI MESFET) which attach to buried oxide at drain side. In proposed structure break down voltage improves from 13V for Conventional SOI MESFET (C-SOI MESFET) to19V for OR-SOI MESFET by about 47% increasement, so Pmax improved from 0.19 W/mm to 0.25 W/mm. also, frequency parameters such as cut-off frequency (ft), Maximum oscillation frequency (fmax), and Minimum figure noise (Fmin) improved as a result of decreasing gate-drain (Cgd) and gate-source (Cgs) Capacitances. Simulation results show that OR-SOI MESFET has better power and frequency parameters respect with C-SOI MESFET.
Keywords:
Language:
Persian
Published:
Journal of Electrical Engineering, Volume:46 Issue: 4, 2016
Pages:
1 to 6
magiran.com/p1598880
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یکساله به مبلغ 1,390,000ريال میتوانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
توجه!
- حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران میشود.
- پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانههای چاپی و دیجیتال را به کاربر نمیدهد.
In order to view content subscription is required
Personal subscription
Subscribe magiran.com for 70 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!