Analysis on Radio-Frequency Modeling of Double- and Single-Gate Square-Shaped Extended Source TFETs
In this paper, the radio-frequency (RF) performances and small-signal parameters of double-gate (DG) square-shaped extended source tunneling field-effect transistors (TFETs) are investigated and compared with those of single-gate (SG) square-shaped extended source TFETs in terms of their cut-off and maximum oscillation frequencies and small-signal parameters. By using of a nonquasi-static (NQS) radio-frequency model, the smallsignal parameters have been extracted. The results show that the DG square-shaped extended source TFET has higher transconductance, cut-off and maximum oscillation frequencies than single gate structure. The modeled Yparameters are in close agreement with the extracted parameters for high frequency range up to the cut-off frequency. Results suggest that the DG square-shaped extended source TFETs seem to be the most optimal ones to replace MOSFET for ultralow power applications and RF devices.
Journal of Electrical Systems and Signals, Volume:3 Issue: 1, 2015
دانلود و مطالعه متن این مقاله با یکی از روشهای زیر امکان پذیر است:
اشتراک شخصی
با عضویت و پرداخت آنلاین حق اشتراک یک‌ساله به مبلغ 990,000ريال می‌توانید 70 عنوان مطلب دانلود کنید!
اشتراک سازمانی
به کتابخانه دانشگاه یا محل کار خود پیشنهاد کنید تا اشتراک سازمانی این پایگاه را برای دسترسی نامحدود همه کاربران به متن مطالب تهیه نمایند!
  • حق عضویت دریافتی صرف حمایت از نشریات عضو و نگهداری، تکمیل و توسعه مگیران می‌شود.
  • پرداخت حق اشتراک و دانلود مقالات اجازه بازنشر آن در سایر رسانه‌های چاپی و دیجیتال را به کاربر نمی‌دهد.
In order to view content subscription is required

Personal subscription
Subscribe for 50 € euros via PayPal and download 70 articles during a year.
Organization subscription
Please contact us to subscribe your university or library for unlimited access!