رسانش الکترونی یک نانوسیم شامل اتم های مرتعش سطحی

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون فونون به سمت انرژی های پایین تر جابه جا شده و قله های جدیدی نیز در طیف رسانش پدیدار می شود. همچنین برای یک مقدار ثابت قدرت برهمکنش، با کاهش مقدار انرژی پرش الکترون در اتصال ها، قله های تشدیدی تیزتر و دره ها عمیق تر می شوند.