ترابرد در دیودهای تونل زنی تشدیدی نقطه کوانتومی

در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، یک دیود تونل زنی تشدیدی را شبیه سازی نموده ایم. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها می توان در محاسبه جریان تاریک سلول های خورشیدی استفاده نمود. برای این منظور ابتدا هامیلتونی دستگاه را در تقریب تنگابست نوشته و تابع گرین را برای آن محاسبه کردیم. سپس با استفاده از مولفه های تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالت ها و چگالی جریان را به دست آوردیم. نتایج نشان می دهند به دلیل وجود یک میدان الکتریکی طولی، چگالی محلی حالت ها متناسب با پتانسیل اعمال شده تغییر می کند. مشخصه جریان- ولتاژ دستگاه نیز نشان دهنده وجود رفتار غیر اهمی در دستگاه دیود تونل زنی تشدیدی است. همچنین با وارد نمودن نقاط کوانتومی، مقاومت دیفرانسیلی منفی قابل مشاهده است. این مقاومت ناشی از پدیده تونل زنی تشدیدی است.